casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFP260NPBF
Número de pieza del fabricante | IRFP260NPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFP260NPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFP260NPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 234nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4057pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP260NPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFP260NPBF-FT |
SPI11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI11N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPI11N60S5BKSA1
Infineon Technologies
SPI11N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI12N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI12N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPI15N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPI15N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPI15N65C3HKSA1
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel