casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9Y25-80E,115
Número de pieza del fabricante | BUK9Y25-80E,115 |
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Número de parte futuro | FT-BUK9Y25-80E,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BUK9Y25-80E,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 10A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.1nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2703pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 95W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y25-80E,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9Y25-80E,115-FT |
PSMN1R1-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R9-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R5-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y11-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y14-40B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel