casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN2R4-30YLDX
Número de pieza del fabricante | PSMN2R4-30YLDX |
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Número de parte futuro | FT-PSMN2R4-30YLDX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R4-30YLDX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2256pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 106W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R4-30YLDX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN2R4-30YLDX-FT |
BUK9880-55/CUF
Nexperia USA Inc.
BUK9880-55A,115
NXP USA Inc.
PHT4NQ10LT,135
NXP USA Inc.
PHT4NQ10T,135
Nexperia USA Inc.
PMT200EN,115
NXP USA Inc.
PMT200EN,135
NXP USA Inc.
PMT200EPEAX
Nexperia USA Inc.
PMT21EN,115
Nexperia USA Inc.
PMT21EN,135
NXP USA Inc.
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.