casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMT200EN,135
Número de pieza del fabricante | PMT200EN,135 |
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Número de parte futuro | FT-PMT200EN,135 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMT200EN,135 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 475pF @ 80V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMT200EN,135 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMT200EN,135-FT |
BUK7107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7108-40AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7109-75AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7109-75ATE,118
Nexperia USA Inc.
BUK714R1-40BT,118
Nexperia USA Inc.
BUK9107-40ATC,118
Nexperia USA Inc.
BUK9107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM650VNEZ
Nexperia USA Inc.
PHK04P02T,518
Nexperia USA Inc.
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel