casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN2R9-25YLC,115
Número de pieza del fabricante | PSMN2R9-25YLC,115 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN2R9-25YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R9-25YLC,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.15 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2083pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 92W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R9-25YLC,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN2R9-25YLC,115-FT |
BUK9880-55A,115
NXP USA Inc.
PHT4NQ10LT,135
NXP USA Inc.
PHT4NQ10T,135
Nexperia USA Inc.
PMT200EN,115
NXP USA Inc.
PMT200EN,135
NXP USA Inc.
PMT200EPEAX
Nexperia USA Inc.
PMT21EN,115
Nexperia USA Inc.
PMT21EN,135
NXP USA Inc.
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMT29EN,115
NXP USA Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation