casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9629-100B,118
Número de pieza del fabricante | BUK9629-100B,118 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUK9629-100B,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9629-100B,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4360pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 157W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9629-100B,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9629-100B,118-FT |
BUK954R4-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK954R8-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9575-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9575-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.
IRF530N,127
NXP USA Inc.
IRF540,127
NXP USA Inc.
IRF640,127
NXP USA Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
EP4CE55F23C9LN
Intel
EP3C80F780I7N
Intel
EP20K200RC240-1
Intel
EP2S90F1020C3
Intel