casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK956R1-100E,127
Número de pieza del fabricante | BUK956R1-100E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK956R1-100E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK956R1-100E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 17460pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK956R1-100E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK956R1-100E,127-FT |
BUK7508-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK7509-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK7509-75A,127
Nexperia USA Inc.
BUK7510-100B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7510-55AL,127
NXP USA Inc.
BUK7511-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7511-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7513-75B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7514-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7514-60E,127
NXP USA Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel