casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7513-75B,127
Número de pieza del fabricante | BUK7513-75B,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK7513-75B,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7513-75B,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2644pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 157W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7513-75B,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK7513-75B,127-FT |
PSMN013-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN020-30MLCX
Nexperia USA Inc.
PSMN040-100MSEX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-30MLHX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R9-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R9-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R4-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R3-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation