casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK958R5-40E,127
Número de pieza del fabricante | BUK958R5-40E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK958R5-40E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK958R5-40E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK958R5-40E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK958R5-40E,127-FT |
BUK7510-100B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7510-55AL,127
NXP USA Inc.
BUK7511-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7511-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7513-75B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7514-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7514-60E,127
NXP USA Inc.
BUK7515-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK75150-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7516-55A,127
Nexperia USA Inc.
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel