casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK768R1-40E,118
Número de pieza del fabricante | BUK768R1-40E,118 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUK768R1-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK768R1-40E,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK768R1-40E,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK768R1-40E,118-FT |
PSMN057-200P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN070-200P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-60PSRQ
Nexperia USA Inc.
PSMN2R1-40PLQ
Nexperia USA Inc.
BUK78150-55A,115
NXP USA Inc.
BUK78150-55A,135
NXP USA Inc.
BUK7880-55,135
NXP USA Inc.
BUK9832-55A,115
NXP USA Inc.
PHT11N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT2NQ10T,135
NXP USA Inc.