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NXP USA Inc. PHT11N06LT,135

Name: PHT11N06LT,135
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHT11N06LT,135
Availability: InStock
Rating: 4.5 (725 reviews)

Número de pieza de MFG: PHT11N06LT,135

Cantidad disponible: 20380 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: NXP USA Inc.

Breve descripción: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: PHT11N06LT,135.pdf

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PHT11N06LT,135 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	PHT11N06LT,135
Número de parte futuro	FT-PHT11N06LT,135
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHT11N06LT,135 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V
Vgs (Max)	±13V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1400pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHT11N06LT,135 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	PHT11N06LT,135-FT

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