casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK951R6-30E,127
Número de pieza del fabricante | BUK951R6-30E,127 |
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Número de parte futuro | FT-BUK951R6-30E,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK951R6-30E,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 16150pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK951R6-30E,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK951R6-30E,127-FT |
PSMN3R4-30PL,127
Nexperia USA Inc.
BUK6507-55C,127
NXP USA Inc.
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6510-75C,127
NXP USA Inc.
BUK652R0-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R1-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R3-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R6-40C,127
NXP USA Inc.
BUK652R7-30C,127
NXP USA Inc.
BUK653R2-55C,127
NXP USA Inc.
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel