casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN3R4-30PL,127
Número de pieza del fabricante | PSMN3R4-30PL,127 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN3R4-30PL,127 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R4-30PL,127 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3907pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 114W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R4-30PL,127 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN3R4-30PL,127-FT |
BUK7M17-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M21-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M22-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M27-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M33-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M42-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M45-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M67-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M6R3-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M8R0-40EX
Nexperia USA Inc.
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.