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PHT2NQ10T,135 Image

NXP USA Inc. PHT2NQ10T,135

Número de pieza de MFG
PHT2NQ10T,135
Cantidad disponible
42330 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
NXP USA Inc.
Breve descripción
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-PHT2NQ10T,135
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHT2NQ10T,135 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 160pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHT2NQ10T,135 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto PHT2NQ10T,135-FT

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