casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ300N15NS5ATMA1
Número de pieza del fabricante | BSZ300N15NS5ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSZ300N15NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ300N15NS5ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 32A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 32µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 75V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8-FL |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ300N15NS5ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSZ300N15NS5ATMA1-FT |
IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPAN65R650CEXKSA1
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IPAN70R360P7SXKSA1
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IPAN70R600P7SXKSA1
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IPAN80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel