casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC018NE2LSIATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC018NE2LSIATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC018NE2LSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC018NE2LSIATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC018NE2LSIATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC018NE2LSIATMA1-FT |
SI4435DYPBF
Infineon Technologies
SI4435DYTR
Infineon Technologies
IRFH5300TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5302DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFH7004TR2PBF
Infineon Technologies
BSC027N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon Technologies
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel