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Infineon Technologies SI4435DYPBF
- Número de pieza de MFG
- SI4435DYPBF
- Cantidad disponible
- 68560 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- HEXFET® MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SI4435DYPBF.pdf
SI4435DYPBF Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SI4435DYPBF |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SI4435DYPBF |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| SI4435DYPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2320pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI4435DYPBF Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SI4435DYPBF-FT |
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