casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC020N03LSGATMA1
Número de pieza del fabricante | BSC020N03LSGATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSC020N03LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC020N03LSGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7200pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC020N03LSGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC020N03LSGATMA1-FT |
IRF7809A
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AT6010ALV-4AC
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XC4005XL-3VQ100I
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M1A3P600L-1FGG484I
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LFE5UM-85F-7BG756I
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EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
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