casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT21CS01-MSHM10-T
Número de pieza del fabricante | AT21CS01-MSHM10-T |
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Número de parte futuro | FT-AT21CS01-MSHM10-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT21CS01-MSHM10-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 125kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C, Single Wire |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SMD, No Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | 2-XSFN (5x3.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT21CS01-MSHM10-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT21CS01-MSHM10-T-FT |
MT45W4MW16BFB-708 L WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 L WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT F
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT F
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT F TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel