casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W4MW16BFB-708 WT F TR
Número de pieza del fabricante | MT45W4MW16BFB-708 WT F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT45W4MW16BFB-708 WT F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W4MW16BFB-708 WT F TR-FT |
MT29F64G08CBEFBWP-M:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWP:F
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBWPR:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel