casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / NAND512R3A2SN6E
Número de pieza del fabricante | NAND512R3A2SN6E |
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Número de parte futuro | FT-NAND512R3A2SN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512R3A2SN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50ns |
Tiempo de acceso | 50ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512R3A2SN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NAND512R3A2SN6E-FT |
MT48LC4M32B2P-7:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-6:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7:G
Micron Technology Inc.
MT48LC4M32B2TG-7:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-6 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-7 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2P-7 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2TG-6 TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel