casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT45W4MW16BFB-856 WT F
Número de pieza del fabricante | MT45W4MW16BFB-856 WT F |
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Número de parte futuro | FT-MT45W4MW16BFB-856 WT F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT45W4MW16BFB-856 WT F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 85ns |
Tiempo de acceso | 85ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W4MW16BFB-856 WT F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT45W4MW16BFB-856 WT F-FT |
MT29F8G08ABACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3AABN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2SN6F
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD70A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3BD90A
Micron Technology Inc.
TE28F160C3TD70A
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel