casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C8016-55TINTR
Número de pieza del fabricante | AS6C8016-55TINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS6C8016-55TINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016-55TINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016-55TINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C8016-55TINTR-FT |
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel