casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS7C351232-10BINTR
Número de pieza del fabricante | AS7C351232-10BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS7C351232-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS7C351232-10BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C351232-10BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS7C351232-10BINTR-FT |
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J
Micron Technology Inc.
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel