casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS7C325632-10BINTR
Número de pieza del fabricante | AS7C325632-10BINTR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS7C325632-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS7C325632-10BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C325632-10BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS7C325632-10BINTR-FT |
MT41K1G4DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel