casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C3216A-55TIN
Número de pieza del fabricante | AS6C3216A-55TIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C3216A-55TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C3216A-55TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C3216A-55TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C3216A-55TIN-FT |
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
AS4C2M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation