casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS7C325632-10BIN
Número de pieza del fabricante | AS7C325632-10BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS7C325632-10BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS7C325632-10BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C325632-10BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS7C325632-10BIN-FT |
MT41J256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G4DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel