casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS6C1016-55ZIN
Número de pieza del fabricante | AS6C1016-55ZIN |
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Número de parte futuro | FT-AS6C1016-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1016-55ZIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1016-55ZIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS6C1016-55ZIN-FT |
AS4C256M16D3B-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3LB-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D3-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D3-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16D3L-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M16D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel