casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M16D3LB-12BANTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M16D3LB-12BANTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M16D3LB-12BANTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C256M16D3LB-12BANTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13.5x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3LB-12BANTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M16D3LB-12BANTR-FT |
AT49F040-70PI
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AT49F040-90PC
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AT49F512-90PI
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AT49LV001NT-90PC
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XCS10XL-4VQG100I
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LFE2M100E-7F900C
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Lattice Semiconductor Corporation
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5AGTFC7H3F35I3G
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