casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M16D3B-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M16D3B-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M16D3B-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M16D3B-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13.5x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M16D3B-12BINTR-FT |
AT49F040-70PC
Microchip Technology
AT49F040-70PI
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AT49F040-90PC
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AT49F512-70PI
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AT49F512-90PC
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AT49F512-90PI
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XC6SLX150T-2FGG484I
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M1A3P400-2PQG208
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LFE5UM-85F-7BG756C
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XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
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