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Número de pieza del fabricante | AS4C8M16S-6BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C8M16S-6BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M16S-6BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M16S-6BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C8M16S-6BIN-FT |
AS6C8008-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel