casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C512M8D3-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C512M8D3-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C512M8D3-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M8D3-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C512M8D3-12BINTR-FT |
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8
Intel
10CL010YU256C8G
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.