casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C1M16S-6TINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C1M16S-6TINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C1M16S-6TINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C1M16S-6TINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 50-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1M16S-6TINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C1M16S-6TINTR-FT |
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel