casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C1M16S-6TINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C1M16S-6TINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C1M16S-6TINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C1M16S-6TINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 50-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1M16S-6TINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C1M16S-6TINTR-FT |
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel