casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C1M16S-6TINTR

| Número de pieza del fabricante | AS4C1M16S-6TINTR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-AS4C1M16S-6TINTR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| AS4C1M16S-6TINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM |
| Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
| Tiempo de acceso | 5.4ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 50-TSOP II |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AS4C1M16S-6TINTR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | AS4C1M16S-6TINTR-FT |

PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.

PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.

PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.

XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.

XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.

XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.

EPF10K200SFC672-3
Intel

EP4CGX150CF23I7
Intel

LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX130GF40C5NES
Intel

10AX048E2F29I1SG
Intel

10AX016E3F27E1HG
Intel

EP20K60EFC324-2
Intel