casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C1M16S-6TIN
Número de pieza del fabricante | AS4C1M16S-6TIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C1M16S-6TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C1M16S-6TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 50-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1M16S-6TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C1M16S-6TIN-FT |
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel