casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C512M8D3-12BAN
Número de pieza del fabricante | AS4C512M8D3-12BAN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C512M8D3-12BAN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C512M8D3-12BAN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3-12BAN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C512M8D3-12BAN-FT |
AS4C4M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel