casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16MSA-6BINTR

| Número de pieza del fabricante | AS4C16M16MSA-6BINTR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-AS4C16M16MSA-6BINTR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| AS4C16M16MSA-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - Mobile SDRAM |
| Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | 5.5ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 54-VFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 54-FBGA (8x8) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AS4C16M16MSA-6BINTR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | AS4C16M16MSA-6BINTR-FT |

AS7C316098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.

AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.

AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.

AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.

AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.

AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.

PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.

PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.

PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.

PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.

XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.

M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation

LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation

XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.

AX500-FGG676
Microsemi Corporation

LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEBA9F31C8N
Intel

EP20K1000EBI652-2X
Intel