casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16MSA-6BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16MSA-6BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M16MSA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16MSA-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile SDRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 5.5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-FBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MSA-6BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16MSA-6BINTR-FT |
AS7C316098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel