casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16SA-6BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16SA-6BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M16SA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16SA-6BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16SA-6BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16SA-6BIN-FT |
AS7C38096A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel