casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16S-6BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16S-6BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M16S-6BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16S-6BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16S-6BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16S-6BIN-FT |
AS6C3216-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C3216A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8008-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel