casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D2A-25BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D2A-25BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D2A-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D2A-25BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-TFBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D2A-25BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D2A-25BINTR-FT |
AS4C8M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M16SA-6BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M16SA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel