casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / APTM10DUM02G
Número de pieza del fabricante | APTM10DUM02G |
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Número de parte futuro | FT-APTM10DUM02G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10DUM02G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 495A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 40000pF @ 25V |
Potencia - max | 1250W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10DUM02G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTM10DUM02G-FT |
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
DMN61D8LVTQ-13
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A54SX08A-1TQ100
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LFXP3C-5QN208C
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LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H2F35I2L
Intel