casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200SK60T3AG
Número de pieza del fabricante | APTGT200SK60T3AG |
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Número de parte futuro | FT-APTGT200SK60T3AG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200SK60T3AG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 290A |
Potencia - max | 750W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 250µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200SK60T3AG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTGT200SK60T3AG-FT |
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel