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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TH120N

Name: VS-GB200TH120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB200TH120N
Price: 377.249336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (428 reviews)

Número de pieza de MFG: VS-GB200TH120N

Cantidad disponible: 96970 Piezas

Precio de referencia: USD 377.249336

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fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción: - IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - IGBTs - Módulos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: VS-GB200TH120N.pdf

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Número de pieza del fabricante	VS-GB200TH120N
Número de parte futuro	FT-VS-GB200TH120N
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
VS-GB200TH120N Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo IGBT	-
Configuración	Half Bridge
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max)	360A
Potencia - max	1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 200A
Corriente - Corte del colector (Máx.)	5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	14.9nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caja	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete del dispositivo del proveedor	Double INT-A-PAK
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB200TH120N Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	VS-GB200TH120N-FT

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