casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GB200TH120N
Número de pieza del fabricante | VS-GB200TH120N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-GB200TH120N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB200TH120N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 360A |
Potencia - max | 1136W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 14.9nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Paquete del dispositivo del proveedor | Double INT-A-PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200TH120N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-GB200TH120N-FT |
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
EP20K160ETC144-2
Intel
XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K1F40C1N
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C7
Intel