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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N
- Número de pieza de MFG
- VS-GB100TH120N
- Cantidad disponible
- 22750 Piezas
- Precio de referencia
- USD 285.889336
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Breve descripción
- - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - IGBTs - Módulos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- VS-GB100TH120N.pdf
VS-GB100TH120N Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | VS-GB100TH120N |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-VS-GB100TH120N |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| VS-GB100TH120N Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configuración | Half Bridge |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
| Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200A |
| Potencia - max | 833W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Corriente - Corte del colector (Máx.) | 5mA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Caja | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Double INT-A-PAK |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-GB100TH120N Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | VS-GB100TH120N-FT |
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