casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200SK120G
Número de pieza del fabricante | APTGT200SK120G |
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Número de parte futuro | FT-APTGT200SK120G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200SK120G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 280A |
Potencia - max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 350µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200SK120G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTGT200SK120G-FT |
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-4PQG208C
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K1F40I2N
Intel
5SGXMB6R3F40I4N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6M13C6N
Intel