casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200SK120G
Número de pieza del fabricante | APTGT200SK120G |
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Número de parte futuro | FT-APTGT200SK120G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200SK120G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuración | Single |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 280A |
Potencia - max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 350µA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200SK120G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTGT200SK120G-FT |
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1000-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL080YF484C6G
Intel
10M04DCF256C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation