casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT5012JN
Número de pieza del fabricante | APT5012JN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-APT5012JN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS IV® |
APT5012JN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 43A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 21.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 370nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 520W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT5012JN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT5012JN-FT |
APT43F60B2
Microsemi Corporation
APT50M80B2VRG
Microsemi Corporation
APT56F60B2
Microsemi Corporation
APT6017B2LLG
Microsemi Corporation
APT75M50B2
Microsemi Corporation
APT84F50B2
Microsemi Corporation
APT84M50B2
Microsemi Corporation
APT5010JVRU2
Microsemi Corporation
APT50M65JFLL
Microsemi Corporation
APT77N60JC3
Microsemi Corporation
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation