casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT84F50B2
Número de pieza del fabricante | APT84F50B2 |
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Número de parte futuro | FT-APT84F50B2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT84F50B2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 84A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT84F50B2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT84F50B2-FT |
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M1A3P250-2PQG208
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EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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