casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT50M80B2VRG
Número de pieza del fabricante | APT50M80B2VRG |
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Número de parte futuro | FT-APT50M80B2VRG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT50M80B2VRG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 58A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 423nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8797pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50M80B2VRG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT50M80B2VRG-FT |
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