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APT50M80B2VRG Image

Microsemi Corporation APT50M80B2VRG

Número de pieza de MFG
APT50M80B2VRG
Cantidad disponible
25080 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS V® MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-APT50M80B2VRG
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS V®
APT50M80B2VRG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 58A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 423nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8797pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja TO-247-3 Variant
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50M80B2VRG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT50M80B2VRG-FT

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