casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT40M35JVFR
Número de pieza del fabricante | APT40M35JVFR |
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Número de parte futuro | FT-APT40M35JVFR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT40M35JVFR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 93A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 46.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1065nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 20160pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT40M35JVFR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT40M35JVFR-FT |
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