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Microsemi Corporation APT31M100B2

Name: APT31M100B2
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT31M100B2
Availability: InStock
Rating: 4.7 (469 reviews)

Número de pieza de MFG: APT31M100B2

Cantidad disponible: 20070 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APT31M100B2.pdf

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APT31M100B2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APT31M100B2
Número de parte futuro	FT-APT31M100B2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APT31M100B2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	32A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja	TO-247-3 Variant
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT31M100B2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APT31M100B2-FT

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