casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOW418
Número de pieza del fabricante | AOW418 |
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Número de parte futuro | FT-AOW418 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SDMOS™ |
AOW418 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Ta), 105A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5200pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 333W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW418 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOW418-FT |
ZVNL110GTC
Diodes Incorporated
ZVNL120GTC
Diodes Incorporated
ZVP0545GTC
Diodes Incorporated
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ZVP2110GTC
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ZVP2120GTC
Diodes Incorporated
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ZVP4525GTC
Diodes Incorporated
ZXM62N03GTA
Diodes Incorporated
ZXM62P03GTA
Diodes Incorporated
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel